三元多元機能性材料研究会年末講演会
期日:1995年12月15日(金)16日(土)
講演会場所:愛媛大学 大学会館 3階305室(愛媛県松山市)
懇親会:12月15日(金)19:00:郵便貯金会館(道後)
最終的な出席者
年末講演会写真集
テーマ:「多元半導体の結晶成長と光物性」
− I-III-VI2 族カルコパイライト化合物を中心として −
世話人:磯村滋宏、白方祥(愛媛大学工学部電気電子工学科)
プログラム
12月15日(金)
13:00 開会の挨拶
13:05 II-VI 化合物研究者からカルコパイライト研究者へのメッセージ
山口大工 田口常正
13:45 ワイドギャップCu(Al,Ga)(S,Se)2化合物半導体のMOCVD成長
東京理科大 秩父重英
14:15 MBE法によるI-III-VI2系半導体のヘテロエピタキシャル成長
-歪、成長機構と物性-
電総研 仁木栄
14:45-15:00 休憩
15:00 三元蒸着法による(100)GaAs基板上へのAgGaS2エピタキシャル成長
新潟大工、日本精機* 倉沢正樹、大石耕一郎、
小林敏志、金子双男、太田新一*、若井仁資*
15:3 CuGaSe2のクロライドMBEと格子変形
山梨大工 松本俊、木内謙二、加藤孝正
16:00 無機および有機塩化物原料を用いたCuGaS2とCuAlS2の
気相エピタキシャル成長
長岡技科大 坪井望(現新潟大)、御友重吾、角田憲寿、寺迫智昭、飯田誠之
16:30-17:30 ポスターセッション
ポスターセッションプログラムはここ
17:30-18:00 移動およびチェックイン
18:00-19:00 道後温泉入浴
19:00 懇親会
12/16(土)
09:00 CuGaSe2の引き上げ成長
静岡大学電子工学研究所 田中 昭、勝野広宣、木村雅和、助川徳三
09:30 カルコパイライト型半導体のTHM法による単結晶成長
三重大工 三宅秀人,杉山 耕一
10:00 共鳴ラマン・ルミネッセンス -主にAgGaS2の場合-
大阪府立大工学部電子物理、大阪工業高等専門学校電子情報*
脇田和樹、坂井康久、須崎昌巳*、山本信行
10:30-10:45 休憩
10:45 スピネル型Cu[X]Co[2-X]S4のスピン相関と電子相関および超伝導性
愛媛大教養 宮谷和雄、田中寿郎
11:15 CuInSe2系太陽電池の現状と問題点
松下中研 根上卓之, 和田隆博
11:45 Physics and Control of Conduction Type in CuInS2
with Defect Chalcopyrite Structure
東北大理 山本哲也、吉田博
12:15 CuInSe2単結晶の電気的特性と(真性)格子欠陥
東京理科大*、日大文理** 野村重孝*,**、
松下裕亮*,**、滝沢武男**、遠藤三郎*
12:45 閉会の挨拶
松山空港からの交通
愛媛大学の位置
講演会場の位置
我々の研究室は工学部本館2階、東の方にあります。
おこしの際はお気軽にお立ち寄り下さい。