三元多元機能性材料研究会年末講演会

期日:1995年12月15日(金)16日(土)

講演会場所:愛媛大学 大学会館 3階305室(愛媛県松山市)

懇親会:12月15日(金)19:00:郵便貯金会館(道後)

最終的な出席者

年末講演会写真集


テーマ:「多元半導体の結晶成長と光物性」

  − I-III-VI2 族カルコパイライト化合物を中心として −

 

世話人:磯村滋宏、白方祥(愛媛大学工学部電気電子工学科)


         プログラム

         12月15日(金)


13:00 開会の挨拶

13:05 II-VI 化合物研究者からカルコパイライト研究者へのメッセージ

      山口大工  田口常正

13:45 ワイドギャップCu(Al,Ga)(S,Se)2化合物半導体のMOCVD成長

      東京理科大 秩父重英

14:15 MBE法によるI-III-VI2系半導体のヘテロエピタキシャル成長

     -歪、成長機構と物性-

      電総研   仁木栄


14:45-15:00 休憩


15:00 三元蒸着法による(100)GaAs基板上へのAgGaS2エピタキシャル成長

      新潟大工、日本精機* 倉沢正樹、大石耕一郎、

      小林敏志、金子双男、太田新一*、若井仁資*

15:3 CuGaSe2のクロライドMBEと格子変形

      山梨大工 松本俊、木内謙二、加藤孝正

16:00 無機および有機塩化物原料を用いたCuGaS2とCuAlS2の

   気相エピタキシャル成長

 長岡技科大 坪井望(現新潟大)、御友重吾、角田憲寿、寺迫智昭、飯田誠之


16:30-17:30        ポスターセッション

ポスターセッションプログラムはここ

17:30-18:00        移動およびチェックイン

18:00-19:00        道後温泉入浴

19:00            懇親会


       12/16(土)


09:00 CuGaSe2の引き上げ成長

      静岡大学電子工学研究所 田中 昭、勝野広宣、木村雅和、助川徳三

09:30 カルコパイライト型半導体のTHM法による単結晶成長

      三重大工  三宅秀人,杉山 耕一

10:00 共鳴ラマン・ルミネッセンス -主にAgGaS2の場合-

      大阪府立大工学部電子物理、大阪工業高等専門学校電子情報*

      脇田和樹、坂井康久、須崎昌巳*、山本信行


         10:30-10:45 休憩


10:45 スピネル型Cu[X]Co[2-X]S4のスピン相関と電子相関および超伝導性

      愛媛大教養 宮谷和雄、田中寿郎

11:15 CuInSe2系太陽電池の現状と問題点

      松下中研 根上卓之, 和田隆博

11:45 Physics and Control of Conduction Type in CuInS2

      with Defect Chalcopyrite Structure

      東北大理  山本哲也、吉田博

12:15 CuInSe2単結晶の電気的特性と(真性)格子欠陥 

      東京理科大*、日大文理** 野村重孝*,**、

      松下裕亮*,**、滝沢武男**、遠藤三郎*

12:45 閉会の挨拶 


  松山空港からの交通

  • 愛媛大学の位置

  • 講演会場の位置

    我々の研究室は工学部本館2階、東の方にあります。

    おこしの際はお気軽にお立ち寄り下さい。