ワイドギャップCu(Al,Ga)(S,Se)2化合物半導体のMOCVD成長
東京理科大 秩父重英先生
MBE法によるI-III-VI2系半導体のヘテロエピタキシャル成長
−歪、成長機構と物性−
電総研 仁木 栄様
三元蒸着法による(100)GaAs基板上へのAgGaS2エピタキシャル成長
新潟大工 倉沢正樹様
CuGaSe2のクロライドMBEと格子変形
山梨大工 松本 俊先生
無機および有機塩化物原料を用いたCuGaS2とCuAlS2の
気相エピタキシャル成長
長岡技科大 坪井 望先生(現新潟大)
カルコパイライト型半導体のTHM法による単結晶成長
三重大工 三宅秀人先生
共鳴ラマン・ルミネッセンス −主にAgGaS2の場合−
大阪府立大工学部電子物理 脇田和樹先生
スピネル型Cu[X]Co[2-X]S4のスピン相関と電子相関および超伝導性
愛媛大教養 宮谷和雄先生
CuInSe2系太陽電池の現状と問題点
松下中研 根上卓之様
Physics and Control of Conduction Type in CuInS2
with Defect Chalcopyrite Structure
東北大理 山本哲也先生
CuInSe2単結晶の電気的特性と(真性)格子欠陥
東京理科大 野村重孝先生