〒940-2188 長岡市上富岡町1603-1 長岡技術科学大学工学部
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1. 飯田誠之他（分担執筆）
”半導体”他31項目
金属材料の辞典、田中良平他４名編 (朝倉書店, 1990).
2. 飯田誠之、作田共平
ａ-Ｃ:Ｈ膜を用いた光情報記録
（平成元年度科学研究費補助金研究成果報告書）、冊子(46ページ) (1990).
3. A.Yamauchi, H.Saito, H.Kinto and S.Iida
Vapor Phase Epitaxy of CuGaS2 Using Metal Chlorides and H2S Sources,
J. Cryst. Growth 99(1990) 752.
4. S.Iida, T.Yatabe, H.Kinto and M.Shinohara
Growth and Characterization of p-type VPE ZnS Layers
J. Cryst. Growth 101(1990) 141.
5. A.Ooe and S.Iida
Role of Zn Impurities in CuGaS2 at Relatively Low Concentrations Revealed by Photoluminescence Measurements
Jpn. J. Appl. Phys. 29(1990) 1484.
6. 沢田昌幸、坪井望、五十嵐雅一、打木久雄、飯田誠之
ワイドギャップ銅カルコパイライトの気相エピタキシャル成長
電子情報通信学会技術研究報告 CPM91-59(1991)5.
7. 渡辺智行、小室陽、安藤善英、沢田昌幸、坪井望、飯田誠之、諸橋誠
ｐ-型半導体への電子注入材料としてのa-ZnSXO1-X 膜の評価
電子情報通信学会技術研究報告 CPM91-61(1991) 17.
8. 田中昭雄、打木久雄、飯田誠之
ガラス中でのI-III-VI2 族化合物(AgGaS2)の微結晶化の試みと光学的特性
電子情報通信学会技術研究報告 CPM91-62(1991) 23.
9. A.Ooe, N.Tsuboi and S.Iida
Absorption and Photoluminescence Spectra of Heavily Zn-Doped CuGaS2 Crystals
Jpn. J. Appl. Phys. 30(1991) 2709.
10.飯田誠之
”ＺｎＳの成長−ＶＰＥ成長とｐ型層−”
高輝度青色発光のための電子材料技術、平木昭夫監修(サイエンスフォーラム1991) 98.
11. A.Ooe, N.Tsuboi, H.Kinto, S.Iida and H.Furusaki
Behavior of Amphoteric Impurities of Zn and Cd in CuGaS2 Crystals
Proc. 8th Intern. Conf. on Ternary and Multinary Compounds Vol.1, Kishinev, Sept., 990, eds. S.I.Radautsan and C.Schwab ("Shitiintsa" Press, 1992) 161.
12. H.Kinto, M.Yagi, K.Tanigashira, T.Yamada, H.Uchiki and S.Iida
Photoluminescence Studies of p- and n-type ZnS Layers Grown by Vapor Phase Epitaxy
J. Cryst. Growth 117(1992) 348.
13. 矢木正和、飯田誠之、岡野泰則、福田承生
ZnSe 結晶のフォトルミネッセンスと励起スペクトル
詫間電波高等工業専門学校研究紀要 20(1992) 87.
14. 平松惇監訳、飯田誠之他11名共訳：量子力学入門Ｉ
（Ａ．Ｐ．フレンチ・Ｅ．Ｆ．テイラー）(培風館, 1993).
15. 飯田誠之、坪井望、諸橋誠
ワイドギャップ銅カルコパイライトの気相エピタキシャル成長
（平成４年度科学研究費補助金研究成果報告書）、冊子(53ページ) (1993).
16. N.Tsuboi, H.Uchiki, M.Sawada, H.Kinto, M.Yagi, S.Iida, M.Morohashi and S.Okamoto
Resonant Raman Scattering and Free-Exciton Emission in CuGaS2 Crystals
Physica B 185(1993) 348.
17. S.Iida, N.Tsuboi and H.Kinto: Conduction-type and Luminescence-color Control of ZnS Epitaxial Layers Grown by Vapor Phase Epitaxy
New Functionality Materials Vol.A, eds., T.Tsuruta, M.Seno, and S.Fujita (Elsevier Science Pub., 1993) 299.
18. 打木久雄、飯田誠之
アモルファスＣ：Ｈ膜の光誘起効果
固体物理特別特集号[電子励起による非平衡固体ダイナミックス~新物質科学の創出に向けて~］、篠塚雄三、吉田博共編 (アグネ技術センター、1993) 79.
19. S.Kang, S.Iida, Q.Huang, T.Fukuda
Photoluminescence Properties of Sn-Related Donor State in AlXGa1-XAs
Jpn. J. Appl. Phys. 32(1993) 3338.
20. 矢木正和、寺迫智昭、坪井望、飯田誠之
気相エピタキシャルおよびバルクCuGaS2結晶における赤色発光
詫間電波高等工業専門学校研究紀要 21(1993) 47.
22. K.Masumoto, T.Irie, S.Iida and N.Yamamoto eds.: Proc. 9th Intern. Conf. onTernary and Multinary Compounds (Jpn. J. Appl. Phys. 32 Suppl. 32-3)(1993)
23. N.Tsuboi, T.Isu, Y.Ando, M.Sawada and S.Iida
Improvement in Layer Quality of CuGaS2 Grown by Vapor Phase Epitaxy with Metal Chlorides and H2S Sources
Jpn. J. Appl. Phys. 32 Suppl. 32-3(1993) 145.
24. N.Tsuboi, H.Uchiki, H.Ishikawa and S.Iida:
Resonant Raman Scattering and Exciton Polariton States in CuGaS2,
Jpn. J. Appl. Phys. 32 Suppl. 32-3(1993) 584.
25. M.Yagi, T.Terasako, N.Tsuboi and S.Iida
Deep region Emissions of CuGaS2 Crystals,
Jpn. J. Appl. Phys. 32 Suppl. 32-3(1993) 618.
26. M.Morohashi, Y.Ando, N.Tsuboi T.Terasako, S. Iida and S. Okamoto
Optical and Electrical Characterization of CuGaS2 Grown by Vapor Phase Epitaxy
Jpn. J. Appl. Phys. 32 Suppl. 32-3(1993) 621.
27. 平松惇監訳、飯田誠之他11名共訳
量子力学入門 II（Ａ．Ｐ．フレンチ・Ｅ．Ｆ．テイラー) (培風館, 1994).
28. N.Tsuboi, T.Isu, N.Kakuda, T.Terasako and S.Iida
Vapor Phase Atomic Layer Epitaxy of CuGaS2 at Atmospheric Pressure using Metal Chlorides and H2S
Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) L224.
29. H.Uchiki, H.Kinto, T.Moriyama, S.Hata, N.Tsuboi, J.Wang and S Iida
Exciton and Raman Processes of ZnS under Tunable Picosecond Light Pulse Excitations
J. Cryst. Growth 138(1994) 873.
30. 金藤仁、打木久雄、波多哲、森山強、飯田誠之、鎌田敦之
ZnSエピタキシャル膜の励起子と共鳴ラマン効果
電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）114-C(1994) 1262.
31. 飯田誠之、坪井望、角田憲寿、寺迫智昭、井須敬博
カルコパイライト化合物 CuGaS2 の原子層エピタキシー
応用物理 64(1995) 137.
32. 岸本誠一、我妻新一、王吉豊、長谷川力、坪井望、飯田誠之
ＺｎＳ：Ａｇ気相エピタキシャル層のフォトルミネッセンスと光伝導度
電子情報通信学会技術研究報告 CPM 95-64 (1995) 25.
33. 小笠原孝、坪井望、福田承生、飯田誠之
ホモおよびヘテロエピタキシャルＺｎＳｅ層のフォトルミネッセンス
電子情報通信学会技術研究報告 CPM 95-65 (1995) 31.
34. 御友重吾、坪井望、飯田誠之
有機および無機塩化物原料を用いたＣｕＡｌＳ２の気相エピタキシャル成長、
電子情報通信学会技術研究報告 CPM 95-76 (1995) 37.
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35. T.Fukuda, K.Umetsu, P.Rudolph, H.J.Koh, S.Iida, H.Uchiki and N.Tsuboi:
Growth and Characterization of Twin-free ZnSe Single Crystals by VB Method,
J. Cryst. Growth, 161(1996) 45.
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36. M.Morohashi, N.Mamedov and S.Iida:
Temperature Behavior of Photoconductivity in TlGaSe2 Layered Compounds,
J. Cryst. Res. Technol., 31(1996) 189.
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37. N.Tsuboi, J.Mitomo, N.Kakuda, T.Terasako and S.Iida:
Vapor Phase Epitaxy of CuAlS2 using AlCl3 or Dietylaluminumchloride as an Aluminum Source with CuCl and H2S sources,
J. Cryst. Res. Technol., 31(1996) 341.
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38. N.Mamedov, T.Ogasawara, M.Morohashi, H.Uchiki and S.Iida:
Exciton States in Layered III-III-VI(2) Compounds with Incommensurate Phase,
J. Cryst. Res. Technol., 31(1996) 721.
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39. T.Teraasako, N.Tsuboi, H.Uchiki and S.Iida:
Amphoteric Zn Impurities in CuGaS2 Epitaxial Layers Grown by Vapor Phase Epitaxy,
J. Cryst. Res. Technol., 31(1996) 753.
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40. T.Terasako, N.Tsuboi, H.Uchiki and S.Iida:
Raman Scattering and Two-Phonon Infrared Absorption Spectra of CuAlXGa1-XS2 Alloy Crystals,
J. Cryst. Res. Technol., 31(1996) 927.
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41. T.Terasako, N.Tsuboi, H.Uchiki, and S.Iida:
Raman Scattering and Two-Phonon Infrared Transmission Spectra of Cu(AlXGa1-X)S2 Crystals,
Jpn. J. Appl. Phys. 36(1997) 997.
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42. S.Iida, T.Matsumoto, N.T.Mamedov, G.An, Y.Maruyama, A. Bairamov, B.G.Tgiev, O.B.Tagiev, and R.B.Dzahabarov:
Observation of Laser Oscillation from CaGa2S4:Eu2+，
Jpn. J. Appl. Phys. 36(1997) L857.
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43. S.Kishimoto, T.Ogasawara, T.Hasegawa T.Fukuda, S.Iida:
Homo-epitaxial Growth of ZnSe by Vapor Phase Epitaxy,
J. Cryst. Growth 184/185(1997) 153.
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44. J.Mitomo, H.Sato, T.Terasako, T.Matsumoto, H.Uchiki and S.Iida:
Vapor Phase Epitaxy of CuGaS2 Using CuCl,Dietylgalliumuchloride and H2S Sources under Simultaneous and Alternate Feeding Conditions,
Inst. Phys. Conf. Ser. No 152(1998) 337.
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45. Tamao Matsumoto, T.Shimojyo, T.Terasako, K.Tanaka, N.Tsuboi and S.Iida:
Emission and Absorption Lines of Free and Bound Excitons in CuGaS2 Crystals,
Inst. Phys. Conf. Ser. No 152(1998) 401.
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46. A.A.Lebedev, V.Yu.Rud', Yu.V.Rud' and S.Iida:
Visible Photoluminescence of Anodically Etched p-CuInSe2 Single Crystals,
Inst. Phys. Conf. Ser. No 152(1998) 425.
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47. N.Mamedov, S.Iida, N.Javadov, Tamao Matsumoto and S.Kagramanova:
Critical Points in the Dielectric Function Spectra of TlInSe2 and TlInTe2 Ternary Chain Compounds,
Inst. Phys. Conf. Ser. No 152(1998) 629.
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48. N.Mamedov, S.Iida, Tamao Matsumoto, H.Uchiki and Yo.Tanaka:
Near Band Edge Optical Properties of the TlInS2 and TlGaS2 Incommensurate Ferroelectrics,
Inst. Phys. Conf. Ser. No 152(1998) 899.
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49. Yu. Rud', V.Rud', S.Iida, M.Morohashi-Yamazaki, H.Uchiki and N.Mamedov:
Photovoltaic Effect in TlInS2-, TlGaSe2- and TlGaS2-based Barrier Stractures,
Inst. Phys. Conf. Ser. No 152(1998) 967.
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50. V.Y.Rud', Yu.V.Rud', V.Ch.Shpunt and S.Iida:
New Type Photoconverters on the Ternary Chalcopyrite Semiconductors,
Inst. Phys. Conf. Ser. No 152(1998) 997.
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51. Tamao Matsumoto, S.Iida, N.T. Mamedov, Y.Maruyama, Gyejong An, A.I.Bairamov, B.G.Tagiev, O.B.Tagiev and R.B.Dzhabbarov:
Photoluminescence Characteristics and Stimulated Emission of CaGa2S4:Eu2+ Crystal,
Inst. Phys. Conf. Ser. No 152(1998) 1001.
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52. 飯田誠之：
原子層エピタキシーを利用した二硫化銅ガリウムへの広濃度範囲亜鉛添加 とその役割解明、
平成９年度科学研究費補助金基盤研究（Ｃ）研究成果報告書(冊子 44ページ), 1998.
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53. S.Iida, N.Mamedov, V.Yu.Rud', and Yu.V.Rud':
Photoelectric Properties of Structures based on TlInS2 Single Crystals,
Semiconductors 32(1998) 67.
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54. K.S. Bindra, R. Chari, V. Schukla, S. Iida and S.M.Oak:
Two-Photon Absorption and Nonlinear Refraction in Commercial Colour Glass Filters,
J. Opt. A; Pure Appl. Opt. 1(1999) 73.
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55. K.Tanaka, H.Uchiki and S.Iida:
Picosecond Time-Resolved Spectroscopy of Exciton Systems in CuGaS2 Bulk Single Crystals,
Jpn. J. Appl. Phys. 38(1999) 1329.
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56. 松本治，岸本誠一，金藤仁，長谷川力，青木(松本)珠緒，飯田誠之：
気相成長法により作製したｐ型伝導 ZnS:N，ZnS:N,Ag，ZnS:N,Ag,Clおよび ZnS:N,Ag,In 層の特性比較,
電子情報通信学会技術研究報告（信学技報）Vol.99(1999) No.361 CPM99-88.
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57．中垣雄一朗，熊倉弘道，加藤有行，青木(松本)珠緒，内富直隆，飯田誠之：
原料交互供給下での気相成長CuGaS2層へのZn不純物の選択的添加と成長層の特性，
電子情報通信学会技術研究報告（信学技報）Vol.99(1999) No.361 CPM99-94.
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58．Y.M.Lu, A.Kato, T.Matsumoto-Aoki, Y.Sakamoto and S.Iida:
Observation and Origin of the Photoluminescence Spectrum showing Multi-band Structure from strained Layer Superlattice of ZnS-ZnTe,
J. Cryst. Growth, in press(2000).
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59. S.Kishimoto, T.Hasegawa, H.Kinto, O.Matsumoto and S.Iida:
Effect and Comparison of Co-doping of Ag, Ag+In, and Ag+Cl in ZnS:N/GaAs Layers prepared by Vapor Phase Epitaxy,
J. Cryst. Growth, in press(2000).
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60. Hisao Uchiki, Dsaisuke Kanazawa, Nazim Mamedov, Seishi Iida:
Light induced Memory in TlInS2 incommensurate Ferroelectrics,
J. Luminescence, in press(2000).