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(1)真空蒸着法によるCuGaS2薄膜の作成

小林敏志, 山田智広, 金子双男

電子情報通信学会技術研究報告 CPM90-44 (1990) 1-6.

(2)　ZnyCd1-yS-CuGaS2ヘテロ接合ダイオード

小林敏志, 坪井望, 田村一志, 金子双男, 丸山武男

電子情報通信学会論文誌電子情報通信学会論文誌C-II, J74-C-II (1991)

[3] 139-146.

(3) Green Electroluminescence from ZnS/CuGaS2 HeterojunctionDiode in DC Operation

S. Kobayashi, Y. Momiyama, F. Kaneko

Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) [10A] L1747-L1749.

(4)ZnS-CuGaS2ヘテロ接合発光ダイオードの作成

籾山陽一, 金子双男, 小林敏志

電子情報通信学会技術研究報告 CPM91-60 (1991) 11-16.

(5) DC Green Electroluminescence of Al-CuGaS2 Diode

S. Kobayashi, Y. Momiyama, F. Kaneko

Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) [11B] L1606-L1608.

(6) スプレー法によるCuInS2薄膜の作製

小出任子, 小林敏志, 川上貴浩, 金子双男

電子情報通信学会技術研究報告 CPM92-103 (1992) 89-94.

(7)カルコパイライト型半導体と発光デバイスへの応用

小林敏志

応用物理 62 (1993) [2] 120-126.

(8) The Green Broad Band Photo-luminescence in Sulfur Annealed CuGaS2 Single Crystals

S. Kobayashi, T. Sagawa, T. Kimura, F. Kaneko

9th Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds, Yokohama, 1993

(Jpn. J. Appl. Phys. Suppl. 32-3 (1993) 628-629).

(9) スプレー法によるCuInS2薄膜の作製（II）

小出任子, 小林敏志, 川上貴浩, 金子双男

電子情報通信学会技術研究報告 CPM93-71 (1993) 13-18.

(10) Structural Investigation of CuGaS2 Films Deposited on Si (100) Wafers by Three-source Evaporation Method

K. Oishi, S. Kobayashi, F. Kaneko

1st Magneto-Electronics Int. Symp., Nagano: (1994) 433-436.

(11) 反応性スパッタによるCuInS2薄膜の作製

小林康之, 于 丹陽, M. M. サリナント, 小林敏志, 金子双男, 川上貴浩

電子情報通信学会技術研究報告 CPM94-56 (1994) 1-6.

(12) Preparation and Properties of CuInS2 Thin Films Produced by the Reactive Sputtering Method

S. Kobayashi, D. Y. Yu, M. M. Sarinanto, Y. Kobayashi, F. Kaneko, T. Kawakami

Jpn. J. Appl. Phys.,34-Part2 (1995) [4B] L513-515.

(13) Growth and Characterization of CuGaS2 Thin Films on (100) Si by Vacuum Deposition with Three Sources

K. Oishi, S .Kobayashi, F. Kaneko

J. Crystal Growth 153 (1995) 158-163 .

(14) Preparation and Characterization of AgGaS2 Thin Films by Vacuum

Evaporation Method

M.Kurasawa, S.Kobayashi, F.Kaneko, K.Oishi,Shin-ichi Ohta

J.Crystal Growth (accepted).