電子物性デバイス工学講座半導体工学分野

白方研究室 (2001,4,1 スタート）

所在地：愛媛県松山市文京町３

TEL 089-927-9772 (白方)

FAX 089-927-9790 (電気事務室)

この研究室で行っている研究の概要

本研究室では半導体の結晶成長と半導体の光学的・電気的評価デバイス応用を広く行っています。

　1987-1999年は三元カルコパイライト半導体の研究が主な研究テーマでしたが、2000年より方向転換をはかり窒化物を含むIII-V化合物の研究を主体とし、ZnOなどの酸化物半導体のエピタキシャル成長薄膜の研究や、サイクロトロン加速器によりプロトンを照射したシリコンの照射欠陥評価技術の開発など幅広い研究を行っています。　また最近では、半導体中の遷移金属不純物や希土類不純物の光物性やこれらを発光中心として用いた新しい発光・波長変換デバイスの開発に取り組んでいます。

光物性測定技術

　特に光学評価では、信頼性の高いフォトルミネッセンスや変調分光のデータを世に送り出し、これらの研究は高い評価を得ております。　赤外から紫外にわたる広い波長範囲での分光計測が可能であり、強磁場下や超高圧下での光物性計測も行っています。　現在、ＳＥＭによるカソードルミネッセンス装置の立ち上げやラマン分光装置(photo1, photo2, photo3)の導入と立ち上げを行っており、これらの導入によりさらに幅広い光物性評価ができるようになる予定です。

薄膜作製技術

　本研究室では真空技術を中心とした多種多様な薄膜作製装置を導入して、新しい半導体薄膜の作製と薄膜作成技術の開発を行っています。